Nanoscale
21 May 2020
Сверхбыстрая плазмонная генерация лазерного излучения на границе раздела металл/полупроводник
Jian Wang,‡ab Xiaohao Jia,‡cd Zhaotong Wang,e Weilong Liu,f Xiaojun Zhu,f Zhitao Huang,cd Haichao Yu,g Qingxin Yang,f Ye Sun,e Zhijie Wang,*cd Shengchun Qu,cd Jie Lin,*ab Peng Jin*ab and Zhanguo Wangcd
a Центр инжиниринга сверхпрецизионных оптоэлектронных приборов, Харбинский технологический институт, Харбин 150080, Китай
b Ключевая лаборатория микросхем и микроструктурного производства (Харбинский технологический институт), Министерство образования, Харбин 150080, Китай
c Ключевая лаборатория физики полупроводниковых материалов и Пекинская ключевая лаборатория материалов и устройств на основе низкоразмерных полупроводников, Институт полупроводников, Китайская академия наук, Пекин 100083, Китай
d Центр материаловедения и оптоэлектронной инженерии, Университет Китайской академии наук, Пекин 100049, Китай
e Школа приборостроения и измерительной техники, Харбинский технологический институт, Харбин 150080, Китай
f Физический факультет, Харбинский технологический институт, Харбин 150080, Китай
g Сучжоуский институт нанотехнологий и нанобионики, Китайская академия наук, Сучжоу 215125, Китай
‡ Эти двое авторов внесли равный вклад в данную работу.
10.1039/D0NR02330B
Anhui Province Academy of Science and Technology, No. 128,Wanshui Road, Hi-Tech Zone, Hefei City, Anhui Province, China
+86 17354022649
service@sondii.com
IPv6 ПОДДЕРЖИВАЕМАЯ СЕТЬ
Наши часы
Пн, 21 ноября – Ср, 23 ноября: 9:00 – 20:00.
Чт, 24.11: закрыто. С Днем Благодарения!
Пт, 25 ноября: 8:00–22:00.
Сб 26.11 – Вс 27.11: 10:00 – 21:00
(все часы указаны по восточному времени)
