Nanoscale Услуга по разработке дизайна обложки журнала (NMOS)

Nanoscale

31 Aug 2016

Реализация неассоциативного обучения на основе многополюсного синаптического устройства из одного мемристора

Xue Yang,^a Yichen Fang,^a Zhizhen Yu,^a Zongwei Wang,^a Teng Zhang,^a Minhui Yin,^a Min Lin,^a Yuchao Yang,^ab Yimao Cai^*ab and Ru Huang^ab

10.1039/C6NR04142F

Предлагается трехполюсное устройство, состоящее из оксидного мемристора и NMOS-транзистора. Мемристор с плавной настройкой проводимости по своей природе функционирует как синапс между сенсорными и моторными нейронами и демонстрирует регулируемую синаптическую пластичность, в то время как подключенный к мемристору NMOS-транзистор используется для имитации модулирующего эффекта нейромодулятора, выделяемого интернейронами. Такое многополюсное устройство на основе мемристора позволяет реализовать значимое неассоциативное обучение с использованием единственного электронного компонента. В данном исследовании успешно продемонстрировано поведение, вызванное опытом, включая как привыкание, так и сенсибилизацию. Также обсуждается зависимость поведенческой реакции неассоциативного обучения от силы и интервала предъявляемых стимулов.