Nanoscale
02 Feb 2023
Наноструктурированный черный кремний в масштабе пластины с инженерной морфологией с помощью усовершенствованное сухое травление с использованием олова для применения в датчиках и солнечных элементах
Shaoteng Wu,*ab Qimiao Chen,*a Lin Zhang,a Huixue Ren,b Hao Zhou,a Liangxing Hua and Chuan Seng Tanac
a Школа электротехники и электроники, Наньянский технологический университет, 50 Nanyang Avenue, Сингапур 639798
b Государственная ключевая лаборатория сверхрешеток и микроструктур Института полупроводников Китайской академии наук, Пекин, КНР
c Институт микроэлектроники, A*STAR, Сингапур
10.1039/D2NR06493F
Black-Si (b-Si), обеспечивающий широкополосное просветление света, стал универсальной подложкой для фотодетекторов, фотоэлектрического катализа, датчиков и фотоэлектрических устройств. Однако традиционные способы изготовления страдают одиночной морфологией, низким выходом или хрупкостью. В этой работе мы представляем высокопроизводительную КМОП-совместимую технологию для производства 6-дюймовой пластины b-Si с разнообразными случайными наноструктурами. b-Si достигается путем реактивного ионного травления (RIE) кремниевой пластины, покрытой слоем GeSn, на основе плазмы O2/SF6. Стабильная сетка слоя SnOxFy, образующаяся при первоначальном травлении GeSn, действует как самоорганизующаяся жесткая маска для формирования субволновых наноструктур Si. Были получены пластины b-Si с разнообразной морфологией поверхности, такой как нанопоры, наноконусы, наноотверстия, нанохолки и нанопроволоки.
Anhui Province Academy of Science and Technology, No. 128,Wanshui Road, Hi-Tech Zone, Hefei City, Anhui Province, China
+86 17354022649
service@sondii.com
IPv6 ПОДДЕРЖИВАЕМАЯ СЕТЬ
Наши часы
Пн, 21 ноября – Ср, 23 ноября: 9:00 – 20:00.
Чт, 24.11: закрыто. С Днем Благодарения!
Пт, 25 ноября: 8:00–22:00.
Сб 26.11 – Вс 27.11: 10:00 – 21:00
(все часы указаны по восточному времени)
