Обложка этого выпуска Электрон является "Электрическое коммутационное устройство на основе Sb-Se с высокой скоростью переключения и минимальным ухудшением производительности за счет стабильных состояний в середине зазора» опубликовано Профессор Сюй Мин и Профессор Ван Чэнлян из Хуачжунского университета науки и технологий.
Предыстория исследования
Халькогенидные стекла демонстрируют уникальный обратимый переход между состояниями с высоким и низким сопротивлением под действием электрического поля, известный как эффект порогового переключения Овшинского (OTS). Это свойство широко используется в электронных запоминающих устройствах и вычислительных устройствах, особенно в селекторных приложениях для архитектур памяти с перекрестными точками. Однако халькогенидные стекла склонны к релаксации стекла, что приводит к значительному дрейфу порогового напряжения и ухудшению характеристик тока в выключенном состоянии после нескольких рабочих циклов или длительного хранения.
Значимость исследования
В этом исследовании представлено устройство OTS, изготовленное из стехиометрического стекла Sb₂Se₃, которое сохраняет октаэдрическую локальную структуру в своей аморфной матрице. Устройство демонстрирует исключительную способность OTS, демонстрируя минимальное ухудшение производительности даже после более чем 10⁷ рабочих циклов. Комплексные расчеты из первых принципов показывают, что состояния средней щели в аморфном Sb₂Se₃ в первую очередь возникают из атомных цепочек гетерополярных связей Sb-Se. Эти связи демонстрируют замечательную стабильность, показывая незначительные изменения с течением времени, тем самым обеспечивая общую долговечность материала и постоянство производительности. Результаты не только проясняют сложные физические истоки, управляющие поведением OTS, но и закладывают основу для разработки или оптимизации новых электрических коммутационных материалов.
Перспективы исследований
Основываясь на этих результатах, будущие исследования могли бы изучить другие материалы с аналогично стабильными структурами атомных связей для разработки устройств OTS с превосходной производительностью и долговечностью, продвигая область электронной памяти и вычислений. Кроме того, дальнейшее исследование внутренней связи между структурой материала и производительностью может предоставить более научно обоснованное теоретическое руководство для проектирования новых электрических коммутационных материалов.
Идеи дизайна обложки
Сяньлян Май, Цюндао Сюй, Чжэ Ян, Хуань Ван, Юнпэн Лю, Инхуа Шен, Хэнъи Ху, Мэн Сюй, Чжунжуй Ван, Хао Тун, Чэнлян Ван, Сяншуй Мяо, Мин Сюй | Основная цель дизайна обложки — подчеркнуть тему электронных устройств с помощью визуальных элементов, передавая ощущение передовых технологий и инноваций. Используя высококачественные изображения и чистый макет, дизайн подчеркивает академическую строгость и дальновидную природу журнала. Цветовая схема преимущественно представлена глубокими тонами, с градиентным фоном, сочетающим темно-синий и черный цвета, чтобы вызвать таинственную и высокотехнологичную атмосферу. Фиолетовые и желтые элементы на переднем плане усиливают визуальную глубину и контрастность, привлекая внимание читателя.
Общая эстетика современная и высокотехнологичная, усиленная электронными компонентами и схемами схем на обложке. Трехмерные структуры, усиленные эффектами освещения и тени, создают поразительное ощущение глубины и пространственного измерения. Эти электронные элементы и трехмерные структуры тщательно смоделированы и визуализированы, демонстрируя богатые детали и реалистичные текстуры. Расположение схем и компонентов тщательно курируется, чтобы сбалансировать эстетическую привлекательность с научной направленностью журнала.
Подводя итог, можно сказать, что эта обложка успешно передает инновационный и новаторский характер исследований электронных устройств посредством искусной интеграции цвета, стиля и моделирования, эффективно привлекая читателей. Окончательный дизайн получил высокую оценку как от профессоров, так и от редакторов журнала, что в конечном итоге обеспечило его публикацию! |
Anhui Province Academy of Science and Technology, No. 128,Wanshui Road, Hi-Tech Zone, Hefei City, Anhui Province, China
+86 17354022649
service@sondii.com
IPv6 ПОДДЕРЖИВАЕМАЯ СЕТЬ
Наши часы
Пн, 21 ноября – Ср, 23 ноября: 9:00 – 20:00.
Чт, 24.11: закрыто. С Днем Благодарения!
Пт, 25 ноября: 8:00–22:00.
Сб 26.11 – Вс 27.11: 10:00 – 21:00
(все часы указаны по восточному времени)
